加入日期
2017年07月13日
所属地区
山西省
进展阶段
环评公示
正文内容
项目名称：第二研究所新建SiC单晶衬底材料制备产业化项目
项目概况：第二研究所新建SiC单晶衬底材料制备产业化项目，建设地点位于中国电子科技集团公司第二研究所现有厂区 内，利用现有 4#研发检测中心大楼 3 层、4 层布置 SiC 粉料 合成、晶体生长生产线；同时，利用现有生产保障厂房布置 SiC 设备生产线。项目建设不新增二所占地面积。年产 100 台（套）SiC 关键设备（SiC 单晶生长炉）；年产高 纯 SiC 粉料 10 吨；年产 6 英寸 N 型 SiC 单晶衬底 5 万片；年 产 4 英寸高纯半绝缘 SiC 单晶衬底 1 万片。工程投资 46760 万元， 职工人数 52 人。本项目预计 2017 年 8 月开工，在 2018 年 6 月投产。
本项目主要建设内容一览表
项目组成 内容、规模 备注
主体工程
SiC 设备生产线
本项目拟利用现有生产保障厂房（占地 6660m2），本项目仅新
增立式、卧式加工中心等 20 余台套设备，其余机加工设备为产
品制造部搬至生产保障厂房，本项目设备布置在生产保障厂房
内的设备装调区，以实现 SiC 设备加工、部件组装、调试的连
续化生产线。 依托现
有厂房，新增设
SiC 粉料合 施设备
成、晶体生长生产线
依托现有 4#研发检测中心大楼 3、4 层厂房（单层建筑面积
1500m2，合计占地面积 3000m2）布置 SiC 粉料合成、晶体生长
生产线。按功能分为粉料合成区、晶体生长区、扩展实验区和
材料储备区等，其中粉料合成区主要布置 SiC 单晶生长炉 30 台；
晶体生长区主要布置 SiC 单晶生长炉 70 台以及晶体切割、研磨、
清洗加工设备；扩展实验区主要布置相关测试仪器，对产品 SiC
粉料、SiC 单晶衬底晶体性能进行检验；材料储备区主要作为原
辅料、产品储存使用。
辅助工程
纯水制备
新建 1 套 1.0m3/h 高纯水制备系统，采用反渗透工艺，布置在 4#
研发检测中心 3 层辅助区。新建
循环冷却水系统
新建 1 套 15m3/h 循环冷却水系统（含 1 台机力通风冷却塔和 3
台循环水泵），循环水量 18m3/h，冷却水进口温度 28℃，出口
温度 35℃。冷却塔布置在研发检测中心北侧。新建
空压机房
利用空压站现有 2 台无油旋齿空气jdb电子游戏平台网站
及配套的冷冻式干燥
机，过滤器和储气罐，可满足本项目使用需求。利旧
通风空调
各厂房设通风系统，换气次数约 6～10 次/小时。此外，研发中
心厂房新建 1 套中央空调，空调参数≤28°C，空调冷却水循环
同本工程循环冷却水系统共用，循环水泵为 2 台管道离心泵。新建
环保工程
废气
处理设施
在研发检测中心 3 层晶体加工区的硫酸、氢氟酸和乙醇清洗槽上方
设一套集气罩（捕集效果为 100%），清洗槽挥发废气经集气罩和
负压抽风管道至 1 座新建的酸雾吸收塔处理（吸收剂为 NaOH）。
吸收塔对氢氟酸和硫酸雾的去除效率为 90%，净化后的废气通过
一根 15m 高的排气筒排放，系统处理风量为 2000m3/h。新建
废水处理设施
本项目 SiC 晶体清洗废水、酸雾吸收塔废水送 1 座新建废水处理站
处理。废水处理站设计能力 16m3/d，采用 PH 调节池+Ca（OH）2
中和+絮凝沉淀处理工艺，处理后的废水达标排入市政污水管网。新建
危废暂存间
依托二所现有危废暂存间，对本项目产生的危险废物进行分类
收集储存，并委托有资质单位妥善处置。利旧
依托工程
办公生活 本项目办公、生活设施均依托现有工程设施。利旧
供电 依托厂区现有的变电室，本项目新增配电设施。
供暖 利用厂区现有集中供热管网接入。
供水 依托和平南路市政供水管网。
排水
依托厂区现有的污水收集管道，处理后的废水排入和平南路市
政污水管网，最终进入晋阳污水处理厂处理。
本工程主要生产设备一览表
序号 车间 生产工序 设备名称 型号及参数数量（台/套）备注
1生产保障厂房
机加工及设备组装
移动式数控平面磨床 SG4080NC2 1 新增
2 立式加工中心 MXR-460V 4 新增
3 数控车床 GS200/66plus 1 新增
4 立式数控车床 MTS600L 1 新增
5 数控车床 QSM300/1500 1 新增
6 卧式加工中心 MAR-630H 1 新增
7 立式加工中心 MXR-560V 1 新增
8 加工中心 VTC-200BN 4 新增
9 车削加工中心 GS200M 1 新增
10 龙门加工中心 GMC1530r1 1 新增
11 高速精密车床 HPL 2 新增
12 普通数显车床 BJ1630GD 1 新增
13 普通数显车床 J1CX616 1 新增
14 数控板料折弯机 PBB-110/3100 1 利用
产品制造部现有设备
15 数控闸式剪板机 LGK-13X2500 1
16 激光切割机 FOM23015NT 1
17 交流弧焊机 KC-5005 1
18 氩弧焊机 WSE-315 1
19 氩弧焊机 WS300S 1
20研发检测中心(3 层/4 层)粉料合成 SiC 单晶生长炉 非标自制 30 新增
21晶体生长SiC 单晶生长炉 非标自制 70 新增
22 快速升温热处理炉 1700℃；10℃/s 3 新增
23 晶体退火炉真空度：<1x10^-2Pa，退火温度：>1200 度3 新增
24晶体加工切割
金刚石多线切割机
MWS-612DR，速度1000m/min 1 新增
25 晶圆绑定机EVG 560HBL；温度>600℃；1 新增
26 晶体滚圆机Scc-150, 精度：±0.1mm2 新增
27 倒角机外圆磨削线速度：2500m/min1 新增
28 研磨双面研磨机Usp-22b，最大 6 英寸2 新增
29 端面研磨机 Scy-150，2-6 英寸 2 新增
30 抛光双面抛光机 Usp-20bp，6 英寸 2 新增
31 化学机械抛光机 Srpm-19a，55rpm 2 新增
32清洗
晶圆清洗机
日本 SCC,SWS-1000
水流量 1.5L/min；氮
气烘干温度：300℃1 新增
33 双面刷片清洗 日本 SCC, SWS-200 3 新增
34 全自动甩干机 2500rpm 2 新增
35实验检验
全自动晶片定向仪 型号:2991F2 1 新增
36 自动表面缺陷分析系统 CANDELA CS20 1 新增
37 表面颗粒度测试仪 Surfscan 6420 1 新增
38 表面电阻率测试仪 LEI1510RP 1 新增
39 体式显微镜 Leica M205 A 型 1 新增
40 平坦度测试仪 FM-200 1 新增
本项目主要经济技术指标表
序号 指 标 单位 数量 备注
1 产品方案
1.1 SiC 关键设备 台/a 100
1.2 高纯 SiC 粉料 t/a 15 产品 10t/a，自用 5t/a
1.3 6 英寸 N 型 SiC 单晶衬底 片/a 50000
1.4 4 英寸高纯半绝缘 SiC 单晶衬底 片/a 10000
2 主要原料消耗指标
2.1 钢材 t/a 1300 机加年用量
2.2 碳粉 t/a 5.2 纯度>99.999%
2.3 硅粉 t/a 11.0 纯度>99.999%
2.4 籽晶 6 寸 N 型 1200 片/a
2.5 籽晶 4 寸 N 型 500 片/a
3 主要辅料消耗指标
3.1 石墨坩埚 套 920 用于粉料合成、晶体生长
3.2 高纯氩气 瓶/a 800 50L 钢瓶
3.3 高纯氢气 瓶/a 50 50L 钢瓶
3.4 高纯氮气 瓶/a 50 50L 钢瓶
3.5 保温材料 套 400 高纯石墨毡
3.6 金刚石单晶微粉 t/a 2.4 1μm
3.7 金刚石多晶微粉 t/a 1.5 1μm
3.8 粗抛光布 片/a 3000
3.9 精抛光布 片/a 100
3.10 抛光游星轮 片/a 3000
3.11 吸附垫 片/a 3000
3.12 晶圆盒 盒/a 60000 4 寸，6 寸
3.13 金刚石粉 Kg/a 750
3.14 MOS 硫酸 L/a 2400 15L/槽，1~2d 更换 1 槽
3.15 MOS 氢氟酸 L/a 160 1L/槽，1~2d 更换 1 槽
3.16 MOS 无水乙醇 L/a 1600 10L/槽，1~2d 更换 1 槽
3.17 抛光液 L/a 54000
3.18 金刚石切割线 km/a 21000 线径 0.25mm
4 总投资 万元 46760
4.1 环保投资 万元 81.5
5 全厂定员 人 52 现有职工抽调解决
建设单位：中国电子科技集团公司第二研究所
| 加入日期 | 2017年07月13日 | 所属地区 | 山西省 | 进展阶段 | 环评公示 |
|---|
正文内容
项目概况：第二研究所新建SiC单晶衬底材料制备产业化项目，建设地点位于中国电子科技集团公司第二研究所现有厂区 内，利用现有 4#研发检测中心大楼 3 层、4 层布置 SiC 粉料 合成、晶体生长生产线；同时，利用现有生产保障厂房布置 SiC 设备生产线。项目建设不新增二所占地面积。年产 100 台（套）SiC 关键设备（SiC 单晶生长炉）；年产高 纯 SiC 粉料 10 吨；年产 6 英寸 N 型 SiC 单晶衬底 5 万片；年 产 4 英寸高纯半绝缘 SiC 单晶衬底 1 万片。工程投资 46760 万元， 职工人数 52 人。本项目预计 2017 年 8 月开工，在 2018 年 6 月投产。
本项目主要建设内容一览表
项目组成 内容、规模 备注
主体工程
SiC 设备生产线
本项目拟利用现有生产保障厂房（占地 6660m2），本项目仅新
增立式、卧式加工中心等 20 余台套设备，其余机加工设备为产
品制造部搬至生产保障厂房，本项目设备布置在生产保障厂房
内的设备装调区，以实现 SiC 设备加工、部件组装、调试的连
续化生产线。 依托现
有厂房，新增设
SiC 粉料合 施设备
成、晶体生长生产线
依托现有 4#研发检测中心大楼 3、4 层厂房（单层建筑面积
1500m2，合计占地面积 3000m2）布置 SiC 粉料合成、晶体生长
生产线。按功能分为粉料合成区、晶体生长区、扩展实验区和
材料储备区等，其中粉料合成区主要布置 SiC 单晶生长炉 30 台；
晶体生长区主要布置 SiC 单晶生长炉 70 台以及晶体切割、研磨、
清洗加工设备；扩展实验区主要布置相关测试仪器，对产品 SiC
粉料、SiC 单晶衬底晶体性能进行检验；材料储备区主要作为原
辅料、产品储存使用。
辅助工程
纯水制备
新建 1 套 1.0m3/h 高纯水制备系统，采用反渗透工艺，布置在 4#
研发检测中心 3 层辅助区。新建
循环冷却水系统
新建 1 套 15m3/h 循环冷却水系统（含 1 台机力通风冷却塔和 3
台循环水泵），循环水量 18m3/h，冷却水进口温度 28℃，出口
温度 35℃。冷却塔布置在研发检测中心北侧。新建
空压机房
利用空压站现有 2 台无油旋齿空气jdb电子游戏平台网站 及配套的冷冻式干燥
机，过滤器和储气罐，可满足本项目使用需求。利旧
通风空调
各厂房设通风系统，换气次数约 6～10 次/小时。此外，研发中
心厂房新建 1 套中央空调，空调参数≤28°C，空调冷却水循环
同本工程循环冷却水系统共用，循环水泵为 2 台管道离心泵。新建
环保工程
废气
处理设施
在研发检测中心 3 层晶体加工区的硫酸、氢氟酸和乙醇清洗槽上方
设一套集气罩（捕集效果为 100%），清洗槽挥发废气经集气罩和
负压抽风管道至 1 座新建的酸雾吸收塔处理（吸收剂为 NaOH）。
吸收塔对氢氟酸和硫酸雾的去除效率为 90%，净化后的废气通过
一根 15m 高的排气筒排放，系统处理风量为 2000m3/h。新建
废水处理设施
本项目 SiC 晶体清洗废水、酸雾吸收塔废水送 1 座新建废水处理站
处理。废水处理站设计能力 16m3/d，采用 PH 调节池+Ca（OH）2
中和+絮凝沉淀处理工艺，处理后的废水达标排入市政污水管网。新建
危废暂存间
依托二所现有危废暂存间，对本项目产生的危险废物进行分类
收集储存，并委托有资质单位妥善处置。利旧
依托工程
办公生活 本项目办公、生活设施均依托现有工程设施。利旧
供电 依托厂区现有的变电室，本项目新增配电设施。
供暖 利用厂区现有集中供热管网接入。
供水 依托和平南路市政供水管网。
排水
依托厂区现有的污水收集管道，处理后的废水排入和平南路市
政污水管网，最终进入晋阳污水处理厂处理。
本工程主要生产设备一览表
序号 车间 生产工序 设备名称 型号及参数数量（台/套）备注
1生产保障厂房
机加工及设备组装
移动式数控平面磨床 SG4080NC2 1 新增
2 立式加工中心 MXR-460V 4 新增
3 数控车床 GS200/66plus 1 新增
4 立式数控车床 MTS600L 1 新增
5 数控车床 QSM300/1500 1 新增
6 卧式加工中心 MAR-630H 1 新增
7 立式加工中心 MXR-560V 1 新增
8 加工中心 VTC-200BN 4 新增
9 车削加工中心 GS200M 1 新增
10 龙门加工中心 GMC1530r1 1 新增
11 高速精密车床 HPL 2 新增
12 普通数显车床 BJ1630GD 1 新增
13 普通数显车床 J1CX616 1 新增
14 数控板料折弯机 PBB-110/3100 1 利用
产品制造部现有设备
15 数控闸式剪板机 LGK-13X2500 1
16 激光切割机 FOM23015NT 1
17 交流弧焊机 KC-5005 1
18 氩弧焊机 WSE-315 1
19 氩弧焊机 WS300S 1
20研发检测中心(3 层/4 层)粉料合成 SiC 单晶生长炉 非标自制 30 新增
21晶体生长SiC 单晶生长炉 非标自制 70 新增
22 快速升温热处理炉 1700℃；10℃/s 3 新增
23 晶体退火炉真空度：<1x10^-2Pa，退火温度：>1200 度3 新增
24晶体加工切割
金刚石多线切割机
MWS-612DR，速度1000m/min 1 新增
25 晶圆绑定机EVG 560HBL；温度>600℃；1 新增
26 晶体滚圆机Scc-150, 精度：±0.1mm2 新增
27 倒角机外圆磨削线速度：2500m/min1 新增
28 研磨双面研磨机Usp-22b，最大 6 英寸2 新增
29 端面研磨机 Scy-150，2-6 英寸 2 新增
30 抛光双面抛光机 Usp-20bp，6 英寸 2 新增
31 化学机械抛光机 Srpm-19a，55rpm 2 新增
32清洗
晶圆清洗机
日本 SCC,SWS-1000
水流量 1.5L/min；氮
气烘干温度：300℃1 新增
33 双面刷片清洗 日本 SCC, SWS-200 3 新增
34 全自动甩干机 2500rpm 2 新增
35实验检验
全自动晶片定向仪 型号:2991F2 1 新增
36 自动表面缺陷分析系统 CANDELA CS20 1 新增
37 表面颗粒度测试仪 Surfscan 6420 1 新增
38 表面电阻率测试仪 LEI1510RP 1 新增
39 体式显微镜 Leica M205 A 型 1 新增
40 平坦度测试仪 FM-200 1 新增
本项目主要经济技术指标表
序号 指 标 单位 数量 备注
1 产品方案
1.1 SiC 关键设备 台/a 100
1.2 高纯 SiC 粉料 t/a 15 产品 10t/a，自用 5t/a
1.3 6 英寸 N 型 SiC 单晶衬底 片/a 50000
1.4 4 英寸高纯半绝缘 SiC 单晶衬底 片/a 10000
2 主要原料消耗指标
2.1 钢材 t/a 1300 机加年用量
2.2 碳粉 t/a 5.2 纯度>99.999%
2.3 硅粉 t/a 11.0 纯度>99.999%
2.4 籽晶 6 寸 N 型 1200 片/a
2.5 籽晶 4 寸 N 型 500 片/a
3 主要辅料消耗指标
3.1 石墨坩埚 套 920 用于粉料合成、晶体生长
3.2 高纯氩气 瓶/a 800 50L 钢瓶
3.3 高纯氢气 瓶/a 50 50L 钢瓶
3.4 高纯氮气 瓶/a 50 50L 钢瓶
3.5 保温材料 套 400 高纯石墨毡
3.6 金刚石单晶微粉 t/a 2.4 1μm
3.7 金刚石多晶微粉 t/a 1.5 1μm
3.8 粗抛光布 片/a 3000
3.9 精抛光布 片/a 100
3.10 抛光游星轮 片/a 3000
3.11 吸附垫 片/a 3000
3.12 晶圆盒 盒/a 60000 4 寸，6 寸
3.13 金刚石粉 Kg/a 750
3.14 MOS 硫酸 L/a 2400 15L/槽，1~2d 更换 1 槽
3.15 MOS 氢氟酸 L/a 160 1L/槽，1~2d 更换 1 槽
3.16 MOS 无水乙醇 L/a 1600 10L/槽，1~2d 更换 1 槽
3.17 抛光液 L/a 54000
3.18 金刚石切割线 km/a 21000 线径 0.25mm
4 总投资 万元 46760
4.1 环保投资 万元 81.5
5 全厂定员 人 52 现有职工抽调解决
建设单位：中国电子科技集团公司第二研究所
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